產品概述及特點

快盈微提供650V-1200V SIC SBD和Planar SIC MOSFET 。

碳化硅材料寬禁帶特性使SIC MOSFET可以承受極端高溫工作環境，高熱導率特性減少功率器件散熱裝置體積和數量，高擊穿場強使SIC MOSFET在保證耐壓條件下有更小導通電阻，高飽和速度使SIC MOSFET具有更高開關頻率和更優異的反向恢復特性。

主要應用：

應用于光伏逆變器、新能源汽車、儲能、充電樁等。